采用等离子体偏转溅射技术,拥有极高的离子密度,适用于较厚膜层(10微米以上)的快速制备。
既可进行金属膜材的溅射,也可用于介质膜的溅射
3.5Kw等离子体源
3个Ф150mm溅射靶位
基片尺寸:Ф150mm,四片
极限真空度:进入10-5Pa量级
镀膜真空度:100Pa~5×10-2Pa可调
4路气体馈入