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铟柱蒸发生长系统

用于用于红外长线列焦平面器件工艺中，6"硅集成电路的铟层薄膜的制备

筒形坩埚保证蒸发束流角度

兼顾8"硅片镀膜

空载极限真空度5×10^-5Pa

配备膜厚控制仪，镀膜过程程序自动控制

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